铜(Cu)因为其低电阻、高有机化学可靠性和出色的抗电迁移性,常被用以Si基半导体元器件表面金属化。
现阶段,磁控溅射技术性广泛运用于Cu金属化行业,尤其是Cu膜的制取层面,但因为磁控溅射全过程中溅射靶材颗粒离化率较低,塑料薄膜堆积全过程中常会存有“阴影效应”,造成塑料薄膜易发生部分掉下来,机构、构造及特性不匀称等难题,大大的限定了产品品质和使用期限。
做为新一代的PVD技术性,高功率脉冲磁控溅射技术性(HPPMS)较高的离化率为塑料薄膜的构造、特性的管控给予了无限潜能。因此 本科学研究对于Cu塑料薄膜运用中存在的不足,明确提出应用高功率脉冲磁控溅射技术性,制取特性出色的Cu塑料薄膜。但在HPPMS脉冲充放电全过程中,低温等离子特性的纷繁复杂也为该技术性的运用提升了难度系数。因此 科学研究也致力于完成高功率脉冲磁控溅射技术性中低温等离子特性的管控,并研究了磁控溅射低温等离子特性对金属材料塑料薄膜构造及特性的危害。 科学研究中,最先根据低温等离子光谱分析法比照了靶表面、靶前(距靶1 cm)及硅片前(距靶10 cm)的低温等离子成分及离化率的不一样,并研究了最高值输出功率和平均功率对低温等离子特性及塑料薄膜特性的危害。
科学研究结果显示:HPPMS磁控溅射时,靶表面的低温等离子成分中,以Ti正离子和Ti原子为主导,但汽体颗粒(Ar正离子及Ar原子)相对性较少;靶前的低温等离子成分中以Ar原子为主导,金属粒子相对性于靶表面其所占占比较少;在硅片前,因为“反消化吸收功效”的危害,等离子技术成分中金属粒子相对性于靶表面和靶前所占占比越来越更少。
应用HPPMS制取Ti塑料薄膜时,发觉当平均功率一定时,最高值输出功率的提升能够 合理地提升 硅片周边的正离子原子比,塑料薄膜表面光洁,晶体较小,便于展现压地应力,但堆积速度比较慢。当最高值输出功率一定时,平均功率的提升,会明显提升硅片前金属离子和原子的总数,但正离子原子比长期保持。塑料薄膜的堆积速度较快,晶体很大,便于展现拉应力及(002)择优录用。次之,提升同样pwm占空比下,HPPMS开关电源的占空比和頻率的组成,研究不一样占空比×頻率组成对Ti塑料薄膜的堆积速度和特性的...
以上内容就是高功率脉冲磁控溅射等离子技术特性管控及对Cu塑料薄膜构造特性的危害的研究试验介绍，高功率脉冲磁控溅射相关咨询和难解问题等，欢迎大家致电联系苏州粤辉煌。
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