一般来说，传统的镁合金微弧氧化膜首先在基体表面形成致密的内层结构，随着氧化过程的不断增长，致密内层的厚度不断增长，逐渐形成松散多孔的外层结构。此外，在微弧氧化的整个过程中，火花的放电直径00μm以上是氧化膜外层松散层形成的原因之一。如果氧化膜可视为性能良好的电容器，充电电容器越大，介电击穿的可能性就越大。
交变电压可使电容器极板之间的绝缘介质破坏成导体，释放能量，形成冲击放电。因此，如果致密膜在冲击放电的持续作用下，膜层会产生局部缺陷，缺陷处的电容和电导率会显著增加，导致局部微区放电集中，电流更大。因此，膜层更容易被介电击穿和损坏。此外，如此大的残余能量将集中在缺陷大的微区域或大的放电通道中，导致持续强度不稳定的火花放电，导致火山喷发效应，导致放电孔粗大，晶体相晶粒生长异常粗大，呈火山口结构、微裂纹、气孔等缺陷，破坏氧化膜表面结构的致密性和均匀性。因此，如何突破传统的镁合金微弧氧化控制过程，实现镁合金微弧氧化膜微结构的致密和精细控制，已成为镁合金微弧氧化过程未来的发展方向。
镁合金超微弧氧化双脉冲控制过程[1-3]通过调整脉冲频率，等离子体的放电火花比传统的微弧氧化火花更细、分布更均匀，革命性地改变了传统的微弧氧化火花放电机制：逐渐抑制或消除大缺陷或局部集中冲击放电，改变了上述传统微弧氧化过程等离子体放电的固有特征，实现了对超微弧氧化膜微结构的精细控制。
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