纯铝微弧氧化
纯铝的起弧电压为3000V当峰值电流增加到一定程度时，电压上升到300V通过观察电压的变化和工件微弧氧化过程的变化，应减缓峰值的增加，并保持峰值不变运行一段时间。纯铝微弧氧化终止电压为600V当电压在6000左右时，当电压在600左右V当峰值不变时，应继续运行。600V连续运行约10分钟即可达到耐磨、硬度的一般要求。
脉宽的变化会改变平均电流，平均电流不能太大或太小，太大会造成电浪费，太小会导致膜速度减慢，微弧氧化应为每平方米5分A受电源规格限制，每平方分米的电流计算应保持在2A(电流密度越大，电弧电压越低，膜上升速度越快)所以微弧氧化可以先将平均电流加到工件所需的电流中，当电压上升到一定程度时，脉宽逐渐减小。
高硅铝的微弧氧化
起弧电压在400V终止电压约为650V平均电流按上述设置。当电压上升到400时V当峰值值的增加，保持微弧氧化一段时间，然后改变峰值，提高电压，使微弧氧化持续运行一段时间。高硅铝的微弧氧化时间一般为30分钟，可根据实际情况增加。
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